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FLASH存储器 Micron MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 替代

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产品分类

FLASH存储器

封装/外壳

TSOP48_12X18.4MM

存储器类型

非易失

存储容量

2Gb

工作电压(范围)

2.7V~3.6V

存储器格式

闪存

写周期时间-字,页

-

接口类型

并联

工作温度

-40℃~+85℃

安装类型

SMT

存取时间

-

技术

FLASH-NAND

湿气敏感性等级 (MSL)

3(168 小时)

是否无铅

Yes

系列

-

零件状态

Active

长x宽/尺寸

12.00 x 18.40mm

高度

1.20mm

存储温度

-65℃~+150℃

元件生命周期

Active

引脚数

48Pin

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商品介绍

1Gb x8、x16:NAND 闪存

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
FLASH存储器
FLASH存储器 Micron MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
数据手册 839(1起订)

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品牌:Murata
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贴片电容(MLCC)
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500 +¥0.01161

1000 +¥0.01052

5000 +¥0.00907

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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E(Micron)和GJM1555C1H6R8CB01D(Murata)的区别
品牌:Yageo
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贴片电容(MLCC)
数据手册 23806(500起订)

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500 +¥0.00643

1000 +¥0.00585

5000 +¥0.00507

10000 +¥0.00460

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E(Micron)和CC0402CRNPO9BN6R8(Yageo)的区别
品牌:Murata
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贴片电容(MLCC)
数据手册 2049(500起订)

¥0.00994 ▼

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500 +¥0.00938

1000 +¥0.00853

5000 +¥0.00740

10000 +¥0.00672

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E(Micron)和GRM1555C1H6R8CA01D(Murata)的区别
品牌:FH
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贴片电容(MLCC)
数据手册 9468(100起订)

¥0.00433 ▼

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10 +¥0.00433

100 +¥0.00408

500 +¥0.00382

2000 +¥0.00357

5000 +¥0.00339

10000 +¥0.00331

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E(Micron)和0402CG6R8C500NT(FH)的区别
品牌:Murata
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贴片电容(MLCC)
数据手册
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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E(Micron)和GRM1555C1H6R8CZ01D(Murata)的区别

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MT29F2G08ABAEAWP-IT:EMicron 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 价格参考¥ 12.17296 。 Micron MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 封装/规格: TSOP48_12X18.4MM, 1Gb x8、x16:NAND 闪存。你可以下载 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 FLASH存储器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

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