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MOSFETs UTC UT3N06G-AE3-R

数量国内含税
10+¥0.31821
50+¥0.29241
200+¥0.27091
600+¥0.24941
1500+¥0.23221
3000+¥0.22146

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2755 (10起订)
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3年内

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  • 品       牌:UTC(友顺)
  • 型       号: UT3N06G-AE3-R
  • 商品编号: DS0143181
  • 封装规格: SOT-23
  • 商品描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

是否无铅

No

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

+150℃

漏源电压(Vdss)

60V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

120mΩ

阈值电压

3V

栅极电荷(Qg)

10nC

连续漏极电流

3A

配置

单路

输入电容

780pF

类型

1个N沟道

原始制造商

Unisonic Technology Co., Ltd.

原产国家

China Taiwan

长x宽/尺寸

2.90 x 1.65mm

高度

1.10mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±20V

充电电量

10nC

额定功率

350mW

功率耗散

350mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

90mΩ@10V,3A

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商品介绍

MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:UT3N06G-AE3-R
品牌:UTC(友顺)
MOSFETs
MOSFETs UTC UT3N06G-AE3-R
数据手册 2755(1起订)

¥0.31821 ▼

数量国内含税

10 +¥0.31821

50 +¥0.29241

200 +¥0.27091

600 +¥0.24941

1500 +¥0.23221

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UT3N06G-AE3-RUTC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 UT3N06G-AE3-R 价格参考¥ 0.31821 。 UTC UT3N06G-AE3-R 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23。你可以下载 UT3N06G-AE3-R 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: UT3N06G-AE3-R

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