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MOSFETs DIODES DMN2041L-7

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50+¥0.37180
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600+¥0.31980
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

系列

-

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

20V

漏极电流

6.4A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

28毫欧@6A,4.5V

阈值电压

1.2V

栅极电荷(Qg)

15.6nC

连续漏极电流

6.4A

输入电容

550pF

类型

1个N沟道

原始制造商

Diodes Incorporated

原产国家

America

长x宽/尺寸

2.90 x 1.30mm

高度

1.10mm

引脚数

3Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±12V

反向传输电容Crss

81pF

充电电量

15.6nC

额定功率

780mW

功率耗散

780mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

28mΩ@4.5V,6A

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商品介绍

n通道增强模式mosfet

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:DMN2041L-7
MOSFETs
MOSFETs DIODES DMN2041L-7
数据手册 263(1起订)

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10 +¥0.40300

50 +¥0.37180

200 +¥0.34580

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DMN2041L-7DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyfuture 等渠道进行代购。 DMN2041L-7 价格参考¥ 0.403 。 DIODES DMN2041L-7 封装/规格: SOT-23, n通道增强模式mosfet。你可以下载 DMN2041L-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: DMN2041L-7

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