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MRAM磁性随机存储器 ISSI IS43DR16320C-3DBLI

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品牌：ISSI(芯成半导体)
型号：IS43DR16320C-3DBLI
商品编号：IC0184991
封装规格：-
商品描述： DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA ; Region : EUROPE
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图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：IS43DR16320C-3DBLI 品牌：ISSI(芯成半导体)	MRAM磁性随机存储器 ISSI IS43DR16320C-3DBLI	数据手册	0（1起订）	¥47.85837 ▼ 数量国内含税 209 +￥47.85837 418 +￥46.75572 1045 +￥45.57614	当前型号	加入购物车

IS43DR16320C-3DBLI 由 ISSI 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 arrow 等渠道进行代购。 IS43DR16320C-3DBLI 价格参考￥ 47.85837 。 ISSI IS43DR16320C-3DBLI 封装/规格： TFBGA84, IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA。你可以下载 IS43DR16320C-3DBLI 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MRAM磁性随机存储器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： IS43DR16320C-3DBLI

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品牌：ISSI(芯成半导体)
型号：IS43DR16320C-3DBLI
商品编号：IC0184991
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品 牌：ISSI(芯成半导体)型 号：IS43DR16320C-3DBLI商品编号：IC0184991封装规格：-商品描述： DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA ; Region : EUROPE DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA ; Region : EUROPE 技术文档数据手册

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型号：IS43DR16320C-3DBLI
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