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MOSFETs Infineon IPD50P04P4L11ATMA1

  • 商品详情
产品分类

焊接辅料

封装

TO-252-3|DPak|SC-63

原厂包装

Tape & Reel

Vgs(th)

2.2 V

消耗电力

58W

动作温度范围

-55 to 175C

Gate Charge (Qg)

59nC

生命周期状态

停产品

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5|10V

源漏开态电阻

10.6mOhm

其它名称

IPD50P04P4L-11 | SP000671156 | IPD50P04P4L11 | IPD50P04P4L11ATMA1CT | 2156-IPD50P04P4L11ATMA1 | IPD50P04P4L-11DKR | IPD50P04P4L11ATMA1DKR | IPD50P04P4L-11DKR-ND | IPD50P04P4L-11TR-ND | IPD50P04P4L11ATMA1TR | IPD50P04P4L-11TR | IPD50P04P4L-11CT-ND | INFINFIPD50P04P4L11ATMA1 | IPD50P04P4L-11CT

Vgs (Max)

16V

制造商名称

Infineon Technologies

FET类型

P-CH

制造商数量

2500

Technology System

MOSFET(Metal Oxide)

RoHS

符合RoHS标准

连续漏极电流

50A

制品名

IPD50P04P4L11ATMA1

Input Capacitance (Ciss)

3900pF

制品分类

MOSFET

漏源电压

40V

系列名

OptiMOS(TM)

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商品介绍

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01319
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02768
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近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET
MOSFETs Infineon IPD50P04P4L11ATMA1
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当前型号询价

IPD50P04P4L11ATMA1Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD50P04P4L11ATMA1 价格参考¥ 0.95 。 Infineon IPD50P04P4L11ATMA1 封装/规格: TO-252(DPAK), IPD50P04 - 20V-150V P-CHANNEL AU。你可以下载 IPD50P04P4L11ATMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IPD50P04P4L11ATMA1

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