• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IPD90P03P404ATMA1-HXY
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• 商品编号： G51149761
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高100A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，显著降低导通损耗并提升整体效率。该器件适用于高侧电源开关、直流-直流转换器及大电流控制电路，具备优异的热稳定性和高频开关性能，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用，满足对能效和可靠性要求较高的场景需求。 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高100A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，显著降低导通损耗并提升整体效率。该器件适用于高侧电源开关、直流-直流转换器及大电流控制电路，具备优异的热稳定性和高频开关性能，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用，满足对能效和可靠性要求较高的场景需求。