• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IRLR8256PBF-HXY
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• 商品编号： G51149757
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ。该器件在高效率功率转换和开关控制中表现出良好的电气性能，适用于多种电子系统设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升整体系统效率。可广泛应用于电源管理模块、高频开关电路以及各类高性能电子设备中，满足对功率密度与稳定性要求较高的使用场景。 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达100A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至3.8mΩ。该器件在高效率功率转换和开关控制中表现出良好的电气性能，适用于多种电子系统设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升整体系统效率。可广泛应用于电源管理模块、高频开关电路以及各类高性能电子设备中，满足对功率密度与稳定性要求较高的使用场景。