• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NTH4L013N120M3S-HXY
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• 商品编号： G51147830
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性，适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中，提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。 本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性，适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中，提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。