• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： RJK0354DSP-HXY
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• 商品编号： G51147394
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于多种中高功率电路场景。器件导通电阻低至5mΩ，显著降低导通损耗，提升整体效率。采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源适配器、储能系统、便携式电子设备及高性能计算模块中的开关与控制电路设计。 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于多种中高功率电路场景。器件导通电阻低至5mΩ，显著降低导通损耗，提升整体效率。采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源适配器、储能系统、便携式电子设备及高性能计算模块中的开关与控制电路设计。