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MOSFETs HXY DMG4800LSDQ-13-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： DMG4800LSDQ-13-HXY
点击复制 - 商品编号： G51147392
点击复制 - 封装规格： SOP-8
点击复制 - 商品描述： 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达10A，漏源电压VDSS为30V，满足中高功率场景需求。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、DC-DC转换、负载开关及高性能计算设备中的高频开关应用，提供稳定可靠的电气性能表现。
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DMG4800LSDQ-13-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMG4800LSDQ-13-HXY 价格参考￥ 。 HXY DMG4800LSDQ-13-HXY 封装/规格： SOP-8, 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达10A，漏源电压VDSS为30V，满足中高功率场景需求。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、DC-DC转换、负载开关及高性能计算设备中的高频开关应用，提供稳定可靠的电气性能表现。。你可以下载 DMG4800LSDQ-13-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMG4800LSDQ-13-HXY
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