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MOSFETs HXY WPM1481-6-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: WPM1481-6-HXY
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  • 商品编号: G51147284
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  • 封装规格: DFN2X2B-6L
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  • 商品描述: 该P沟道场效应管具备15V的漏源电压(VDSS)和12V的栅源电压(VGS),连续漏极电流可达16A,导通电阻低至11mΩ。低RDON特性有助于减少功率损耗,提升系统整体效率。器件适用于中等电流负载的开关控制,常见于便携式电子产品、电池供电设备的电源管理模块、DC-DC转换电路以及各类高密度板级设计中的反向极性保护与高端开关应用,适合对导通损耗敏感的低电压大电流场景。

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型号:WPM1481-6-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY WPM1481-6-HXY
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WPM1481-6-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WPM1481-6-HXY 价格参考¥ 。 HXY WPM1481-6-HXY 封装/规格: DFN2X2B-6L, 该P沟道场效应管具备15V的漏源电压(VDSS)和12V的栅源电压(VGS),连续漏极电流可达16A,导通电阻低至11mΩ。低RDON特性有助于减少功率损耗,提升系统整体效率。器件适用于中等电流负载的开关控制,常见于便携式电子产品、电池供电设备的电源管理模块、DC-DC转换电路以及各类高密度板级设计中的反向极性保护与高端开关应用,适合对导通损耗敏感的低电压大电流场景。。你可以下载 WPM1481-6-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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