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MOSFETs HXY DMN2020LSN-7-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： DMN2020LSN-7-HXY
点击复制 - 商品编号： G51147283
点击复制 - 封装规格： SOT23-3
点击复制 - 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于中功率电源管理及高效开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON低至14mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类消费类电子设备中的DC-DC转换、负载开关及电机驱动电路中。
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DMN2020LSN-7-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMN2020LSN-7-HXY 价格参考￥ 。 HXY DMN2020LSN-7-HXY 封装/规格： SOT23-3, 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于中功率电源管理及高效开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON低至14mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类消费类电子设备中的DC-DC转换、负载开关及电机驱动电路中。。你可以下载 DMN2020LSN-7-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMN2020LSN-7-HXY
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