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MOSFETs HXY WNM2030-3-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： WNM2030-3-HXY
点击复制 - 商品编号： G51147277
点击复制 - 封装规格： SOT-723
点击复制 - 商品描述： 该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。
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WNM2030-3-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WNM2030-3-HXY 价格参考￥ 。 HXY WNM2030-3-HXY 封装/规格： SOT-723, 该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。。你可以下载 WNM2030-3-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： WNM2030-3-HXY
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