• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NVD6824NLT4G-VF01-HXY
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• 商品编号： G51145630
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源耐压（VDSS）与40A最大漏极电流（ID），适用于多种中高功率电路场景。其导通电阻低至20mΩ（RDON），有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能和长期可靠性，适合用于电源转换、电机驱动、LED照明以及智能家电等领域的开关与控制应用。 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源耐压（VDSS）与40A最大漏极电流（ID），适用于多种中高功率电路场景。其导通电阻低至20mΩ（RDON），有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能和长期可靠性，适合用于电源转换、电机驱动、LED照明以及智能家电等领域的开关与控制应用。