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MOSFETs HXY IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
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  • 商品编号: G51140646
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  • 封装规格: TO-3PF
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  • 商品描述: 本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压(VDSS)和5A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)为800mΩ,栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率,该器件具备优异的高压阻断能力、高温工作稳定性及快速开关特性,能有效降低开关损耗,提升系统能效。适用于高电压、高频率的电力转换应用,如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统中的功率调节模块,适合对系统紧凑性与运行可靠性有较高要求的电力电子设计场景。

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型号:IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
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IMWH170R1K0M1XKSA1-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY 价格参考¥ 。 HXY IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY 封装/规格: TO-3PF, 本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压(VDSS)和5A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)为800mΩ,栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率,该器件具备优异的高压阻断能力、高温工作稳定性及快速开关特性,能有效降低开关损耗,提升系统能效。适用于高电压、高频率的电力转换应用,如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统中的功率调节模块,适合对系统紧凑性与运行可靠性有较高要求的电力电子设计场景。。你可以下载 IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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