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MOSFETs HXY NTMFS6B05NT3G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NTMFS6B05NT3G-HXY
点击复制 - 商品编号： G51137733
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为6.4mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电子设备，可广泛用于电源管理、开关电路及电机驱动等场景。其低导通电阻特性有助于降低功耗并提升系统效率，同时具备良好的热稳定性和响应速度，适合多种高要求的电路设计应用。
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NTMFS6B05NT3G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTMFS6B05NT3G-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTMFS6B05NT3G-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为6.4mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电子设备，可广泛用于电源管理、开关电路及电机驱动等场景。其低导通电阻特性有助于降低功耗并提升系统效率，同时具备良好的热稳定性和响应速度，适合多种高要求的电路设计应用。。你可以下载 NTMFS6B05NT3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTMFS6B05NT3G-HXY
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