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MOSFETs HXY IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY
点击复制 - 商品编号： G51137732
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）和100V的漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为6.4mΩ，适用于多种功率控制与电源管理场景。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性与开关特性，可广泛用于高效电源转换、电机驱动、储能管理及电子设备中的高频开关电路设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升系统整体能效。
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IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY 价格参考￥ 。 HXY IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）和100V的漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为6.4mΩ，适用于多种功率控制与电源管理场景。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性与开关特性，可广泛用于高效电源转换、电机驱动、储能管理及电子设备中的高频开关电路设计。其低导通电阻有助于降低功耗，提升系统整体能效。。你可以下载 IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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