• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IRF7389PBF-HXY
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• 商品编号： G51137727
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与开关电路。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。N沟道与P沟道组合设计，支持同步整流与双向开关应用，广泛用于便携式设备、消费类电子及通信设备中的高效电源转换模块。 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与开关电路。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。N沟道与P沟道组合设计，支持同步整流与双向开关应用，广泛用于便携式设备、消费类电子及通信设备中的高效电源转换模块。