• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IPD50N04S410ATMA1-HXY
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• 商品编号： G51137712
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能开关电源、同步整流、电池管理及负载开关等应用场景。 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能开关电源、同步整流、电池管理及负载开关等应用场景。