• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： RFD16N06LESM9A-HXY
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• 商品编号： G51137708
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 本N沟道场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与60V漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）低至27毫欧，具备优良的导电性能和较低的导通损耗。适用于各类中高功率电源系统，如开关电源、DC-DC转换模块、电池管理系统及高效能电子设备中的功率控制电路，支持快速开关操作，有助于提升整体系统效率与稳定性。 本N沟道场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与60V漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）低至27毫欧，具备优良的导电性能和较低的导通损耗。适用于各类中高功率电源系统，如开关电源、DC-DC转换模块、电池管理系统及高效能电子设备中的功率控制电路，支持快速开关操作，有助于提升整体系统效率与稳定性。