• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： RSS100N03HZGTB-HXY
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• 商品编号： G51137093
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为9.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。其漏源电压（VDSS）为30V，持续漏极电流（ID）可达13A，适用于中高功率电源转换与控制场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、电机驱动、开关电路以及各类电子设备中的功率调节模块。 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为9.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。其漏源电压（VDSS）为30V，持续漏极电流（ID）可达13A，适用于中高功率电源转换与控制场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、电机驱动、开关电路以及各类电子设备中的功率调节模块。