上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
点击复制 - 商品编号： G51137088
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能，适用于高效率电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统等高频高功率场景中，满足对性能与能效有较高要求的设计需求。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY 价格参考￥ 。 HXY NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能，适用于高效率电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统等高频高功率场景中，满足对性能与能效有较高要求的设计需求。。你可以下载 NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
工商网监