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MOSFETs HXY RJK5026DPP-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: RJK5026DPP-HXY
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  • 商品编号: G51116030
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  • 封装规格: TO-220F
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  • 商品描述: 本款N沟道场效应管(MOSFET)主要参数如下:漏极电流ID可达20A,漏源电压VDSS为500V,导通电阻RDON为260mΩ。该器件具备较高的开关速度与较低的导通损耗,适用于各类中高功率电源变换系统,如开关电源、DC-DC转换器及电机控制电路。其性能稳定,能够满足高效能、小型化电子设备对功率管理的技术要求,适用于多种通用工程应用场景。

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型号:RJK5026DPP-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY RJK5026DPP-HXY
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RJK5026DPP-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 RJK5026DPP-HXY 价格参考¥ 。 HXY RJK5026DPP-HXY 封装/规格: TO-220F, 本款N沟道场效应管(MOSFET)主要参数如下:漏极电流ID可达20A,漏源电压VDSS为500V,导通电阻RDON为260mΩ。该器件具备较高的开关速度与较低的导通损耗,适用于各类中高功率电源变换系统,如开关电源、DC-DC转换器及电机控制电路。其性能稳定,能够满足高效能、小型化电子设备对功率管理的技术要求,适用于多种通用工程应用场景。。你可以下载 RJK5026DPP-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: RJK5026DPP-HXY

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