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MOSFETs HXY 2SK1835-E-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： 2SK1835-E-HXY
点击复制 - 商品编号： G51085891
点击复制 - 封装规格： TO-3PF
点击复制 - 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源击穿电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于高电压工作环境。在导通状态下，最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承载与低损耗特性。该器件常用于电源转换、开关控制、直流稳压及高电压调节等电路设计中，满足对性能与稳定性有要求的电力电子应用需求。
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2SK1835-E-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 2SK1835-E-HXY 价格参考￥ 。 HXY 2SK1835-E-HXY 封装/规格： TO-3PF, 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源击穿电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于高电压工作环境。在导通状态下，最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承载与低损耗特性。该器件常用于电源转换、开关控制、直流稳压及高电压调节等电路设计中，满足对性能与稳定性有要求的电力电子应用需求。。你可以下载 2SK1835-E-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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