FQD6N50C-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FQD6N50C-VB 价格参考¥ 。 VBsemi FQD6N50C-VB 封装/规格: TO252, 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Deep-Trench技术制造,具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252;N—Channel沟道,650V;5A;RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2~4V;。你可以下载 FQD6N50C-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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