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MOSFETs HXY NTMFS4C59NT3G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NTMFS4C59NT3G-HXY
点击复制 - 商品编号： G51041869
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流处理能力和低导通电阻特性，适用于多种功率管理与电源转换应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为4.3mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件具有良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合用于同步整流、电源分配、电池管理系统及高效能DC-DC转换器等场景，满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。
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NTMFS4C59NT3G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTMFS4C59NT3G-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTMFS4C59NT3G-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流处理能力和低导通电阻特性，适用于多种功率管理与电源转换应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为4.3mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件具有良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合用于同步整流、电源分配、电池管理系统及高效能DC-DC转换器等场景，满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。。你可以下载 NTMFS4C59NT3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTMFS4C59NT3G-HXY
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