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MOSFETs HXY NTMFS4C09NT3G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NTMFS4C09NT3G-HXY
点击复制 - 商品编号： G51041867
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备低导通电阻与高电流承载能力，适用于多种高性能电源管理及功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通状态下的漏源电阻RDON仅为4.3mΩ，有助于减少导通损耗、提高转换效率。器件具有良好的热稳定性与开关特性，适合用于同步整流、直流电机控制、电源管理系统以及高密度电源模块等应用，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。
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NTMFS4C09NT3G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTMFS4C09NT3G-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTMFS4C09NT3G-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备低导通电阻与高电流承载能力，适用于多种高性能电源管理及功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通状态下的漏源电阻RDON仅为4.3mΩ，有助于减少导通损耗、提高转换效率。器件具有良好的热稳定性与开关特性，适合用于同步整流、直流电机控制、电源管理系统以及高密度电源模块等应用，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。。你可以下载 NTMFS4C09NT3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTMFS4C09NT3G-HXY
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