• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NVMFD5873NLT1G-HXY
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• 商品编号： G51000512
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具有35A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场合。导通电阻（RDON）为11mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。采用双沟道结构设计，具备良好的集成性与稳定性，适合用于电源管理、开关电路、电机驱动及同步整流等场景，在各类高效能电子设备中可实现可靠的功率控制与转换功能。 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具有35A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场合。导通电阻（RDON）为11mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。采用双沟道结构设计，具备良好的集成性与稳定性，适合用于电源管理、开关电路、电机驱动及同步整流等场景，在各类高效能电子设备中可实现可靠的功率控制与转换功能。