H10N65F-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 H10N65F-VB 价格参考¥ 。 VBsemi H10N65F-VB 封装/规格: TO-220F, 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO220F;N—Channel沟道,650V;10A;RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;。你可以下载 H10N65F-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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