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MOSFETs HXY IPT015N10NF2SATMA1-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： IPT015N10NF2SATMA1-HXY
点击复制 - 商品编号： G50967744
点击复制 - 封装规格： TOLL-8
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能和良好的热稳定性，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件采用先进封装与制造工艺，能够在高频率、大功率条件下实现高效导通与低损耗运行。适用于高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等应用场景，满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。
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IPT015N10NF2SATMA1-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPT015N10NF2SATMA1-HXY 价格参考￥ 。 HXY IPT015N10NF2SATMA1-HXY 封装/规格： TOLL-8, 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能和良好的热稳定性，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件采用先进封装与制造工艺，能够在高频率、大功率条件下实现高效导通与低损耗运行。适用于高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等应用场景，满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。。你可以下载 IPT015N10NF2SATMA1-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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