• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NTMFD5C466NT1G-HXY
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• 商品编号： G50966775
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具备40A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用双沟道结构设计，集成度高，在电源管理、负载开关、电机控制及同步整流等场景中表现出良好的电气性能与稳定性。适用于各类高效能电子设备中的功率转换与控制电路。 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具备40A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用双沟道结构设计，集成度高，在电源管理、负载开关、电机控制及同步整流等场景中表现出良好的电气性能与稳定性。适用于各类高效能电子设备中的功率转换与控制电路。