NVMFS5C628NT1G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NVMFS5C628NT1G-HXY 价格参考¥ 。 HXY NVMFS5C628NT1G-HXY 封装/规格: DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有125A的额定漏极电流ID和60V的漏源击穿电压VDSS,导通电阻RDON低至2.4mΩ,表现出优异的导通特性和开关响应。器件采用高密度封装,支持大电流工作条件,适用于各类高效电源系统、同步整流电路、储能变换装置及智能负载管理模块,在高频开关和低损耗设计中展现出良好的稳定性和可靠性。。你可以下载 NVMFS5C628NT1G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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