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MOSFETs HXY NVMFS5C638NLT1G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NVMFS5C638NLT1G-HXY
点击复制 - 商品编号： G50966772
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高要求的电子设备。其主要参数包括：漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，能够实现高效、稳定的电流传输。器件采用先进工艺制造，具备快速开关特性和低损耗优势，适合用于电源管理、变换器、负载开关以及高性能计算设备中的功率控制部分。同时，其封装设计便于散热与集成，为复杂电路应用提供良好支持。
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NVMFS5C638NLT1G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NVMFS5C638NLT1G-HXY 价格参考￥ 。 HXY NVMFS5C638NLT1G-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高要求的电子设备。其主要参数包括：漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，能够实现高效、稳定的电流传输。器件采用先进工艺制造，具备快速开关特性和低损耗优势，适合用于电源管理、变换器、负载开关以及高性能计算设备中的功率控制部分。同时，其封装设计便于散热与集成，为复杂电路应用提供良好支持。。你可以下载 NVMFS5C638NLT1G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NVMFS5C638NLT1G-HXY
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