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MOSFETs HXY DMN2320UFB4-7B-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： DMN2320UFB4-7B-HXY
点击复制 - 商品编号： G50966771
点击复制 - 封装规格： DFN1006-3
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流（ID）为0.7A，漏源击穿电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDON）为220mΩ。该器件适用于各类中低功率电子设备中的开关与控制电路，如便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路以及各类电池供电的智能设备。其参数设计有助于实现稳定的开关性能与较高的能效表现，适合对空间和功耗有要求的电路应用。
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DMN2320UFB4-7B-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMN2320UFB4-7B-HXY 价格参考￥ 。 HXY DMN2320UFB4-7B-HXY 封装/规格： DFN1006-3, 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流（ID）为0.7A，漏源击穿电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDON）为220mΩ。该器件适用于各类中低功率电子设备中的开关与控制电路，如便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路以及各类电池供电的智能设备。其参数设计有助于实现稳定的开关性能与较高的能效表现，适合对空间和功耗有要求的电路应用。。你可以下载 DMN2320UFB4-7B-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMN2320UFB4-7B-HXY
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