上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY XP262N7002TR-G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： XP262N7002TR-G-HXY
点击复制 - 商品编号： G50966769
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过0.3A的漏极电流（ID），导通电阻为1000mΩ（RDON），适用于对功率要求适中的电路设计。该器件常用于小型电源模块、电池供电设备及信号切换电路中，具有良好的开关特性和稳定性，适合多种通用电子产品的应用需求。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
XP262N7002TR-G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 XP262N7002TR-G-HXY 价格参考￥ 。 HXY XP262N7002TR-G-HXY 封装/规格： SOT-23, 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过0.3A的漏极电流（ID），导通电阻为1000mΩ（RDON），适用于对功率要求适中的电路设计。该器件常用于小型电源模块、电池供电设备及信号切换电路中，具有良好的开关特性和稳定性，适合多种通用电子产品的应用需求。。你可以下载 XP262N7002TR-G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： XP262N7002TR-G-HXY
工商网监