NTA4151PT1G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTA4151PT1G-HXY 价格参考¥ 。 HXY NTA4151PT1G-HXY 封装/规格: SOT-523, 本款P沟道场效应管(MOSFET)主要参数如下:漏极电流ID为0.66A,漏源击穿电压VDSS为20V,导通电阻RDON为260mΩ。该器件适用于低电压电源管理及信号切换电路,具备良好的开关特性和稳定性。由于其较低的工作电压特性,适合用于便携式电子设备、逻辑控制电路以及各类小型化应用中,有助于实现电路的高效运行与简化设计。。你可以下载 NTA4151PT1G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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