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MOSFETs HXY NVMFS5C638NLWFT1G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： NVMFS5C638NLWFT1G-HXY
点击复制 - 商品编号： G50966737
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高可靠性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、高频率开关电路以及需要紧凑设计与高效散热的应用环境。
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NVMFS5C638NLWFT1G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NVMFS5C638NLWFT1G-HXY 价格参考￥ 。 HXY NVMFS5C638NLWFT1G-HXY 封装/规格： DFN-8(6x5), 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高可靠性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、高频率开关电路以及需要紧凑设计与高效散热的应用环境。。你可以下载 NVMFS5C638NLWFT1G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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