• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： UJ3C120080K3S-HXY
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• 商品编号： G50966736
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，连续漏极电流可达36A，导通电阻低至80mΩ，适用于高效率、高频率的功率变换场景。碳化硅材料的采用显著降低了开关损耗，提升了器件在高压和高温环境下的稳定性与可靠性。该器件广泛应用于能源、通信及智能设备中的电源转换模块，支持高效能与紧凑型设计需求。 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，连续漏极电流可达36A，导通电阻低至80mΩ，适用于高效率、高频率的功率变换场景。碳化硅材料的采用显著降低了开关损耗，提升了器件在高压和高温环境下的稳定性与可靠性。该器件广泛应用于能源、通信及智能设备中的电源转换模块，支持高效能与紧凑型设计需求。