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MOSFETs HXY IPD85P04P4L06ATMA2-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： IPD85P04P4L06ATMA2-HXY
点击复制 - 商品编号： G50965533
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有以下关键参数：最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.3毫欧，具备高电流承载能力和较低的导通损耗。该器件适用于多种功率控制与电源管理应用，如直流电源转换、电池供电系统中的开关电路、负载驱动模块以及对能效和稳定性要求较高的电子设备中，可有效提升系统整体工作效率并降低发热损耗。
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IPD85P04P4L06ATMA2-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD85P04P4L06ATMA2-HXY 价格参考￥ 。 HXY IPD85P04P4L06ATMA2-HXY 封装/规格： TO252-2L, 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有以下关键参数：最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.3毫欧，具备高电流承载能力和较低的导通损耗。该器件适用于多种功率控制与电源管理应用，如直流电源转换、电池供电系统中的开关电路、负载驱动模块以及对能效和稳定性要求较高的电子设备中，可有效提升系统整体工作效率并降低发热损耗。。你可以下载 IPD85P04P4L06ATMA2-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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