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氮化镓晶体管(GaN HEMT) HXY FCMT125N65S3-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： FCMT125N65S3-HXY
点击复制 - 商品编号： G50965327
点击复制 - 封装规格： DFN8_8X8MM
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）和17A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率电源转换场景。导通电阻（RDON）为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件结构稳定，具备良好的热性能与可靠性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制模块以及其他中高压电子设备中，满足多种应用场景下的性能需求。
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FCMT125N65S3-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FCMT125N65S3-HXY 价格参考￥ 。 HXY FCMT125N65S3-HXY 封装/规格： DFN8_8X8MM, 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）和17A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率电源转换场景。导通电阻（RDON）为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件结构稳定，具备良好的热性能与可靠性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制模块以及其他中高压电子设备中，满足多种应用场景下的性能需求。。你可以下载 FCMT125N65S3-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FCMT125N65S3-HXY
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