• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： NVH040N65S3F-HXY
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• 商品编号： G50965322
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用高性能工艺设计，具备优良的导电能力和稳定性。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在高电压和大电流环境下实现高效运行。器件结构优化，适用于电源转换、充电控制、能源管理等各类电子系统中的高频开关应用，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。 本款N沟道场效应管（MOSFET）采用高性能工艺设计，具备优良的导电能力和稳定性。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在高电压和大电流环境下实现高效运行。器件结构优化，适用于电源转换、充电控制、能源管理等各类电子系统中的高频开关应用，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。