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MOSFETs HXY DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
点击复制 - 商品编号： G50965203
点击复制 - 封装规格： DFN8L_3X3MM
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。
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DMTH47M2LFVWQ-7-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMTH47M2LFVWQ-7-HXY 价格参考￥ 。 HXY DMTH47M2LFVWQ-7-HXY 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。。你可以下载 DMTH47M2LFVWQ-7-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
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