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MOSFETs HXY PMV20XNEAR-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： PMV20XNEAR-HXY
点击复制 - 商品编号： G50964833
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具备快速开关响应和良好的热稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其较低的导通电阻有助于提升效率并减少发热。此类MOSFET可应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器及各类小型化电路设计中，满足高效能与高集成度的需求。
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PMV20XNEAR-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 PMV20XNEAR-HXY 价格参考￥ 。 HXY PMV20XNEAR-HXY 封装/规格： SOT-23, 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具备快速开关响应和良好的热稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其较低的导通电阻有助于提升效率并减少发热。此类MOSFET可应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器及各类小型化电路设计中，满足高效能与高集成度的需求。。你可以下载 PMV20XNEAR-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： PMV20XNEAR-HXY
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