• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： 2SK4178-ZK-E1-AY-HXY
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• 商品编号： G50964632
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• 封装规格： TO-252-2L(DPAK)
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• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的最大漏极电流（ID），适用于中高电流应用场景。其导通电阻（RDON）仅为7毫欧，有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用优化的沟槽结构设计，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电池保护及各类高性能电子设备中。优异的电气特性和可靠性可满足广泛通用型电路设计的需求。 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的最大漏极电流（ID），适用于中高电流应用场景。其导通电阻（RDON）仅为7毫欧，有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用优化的沟槽结构设计，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电池保护及各类高性能电子设备中。优异的电气特性和可靠性可满足广泛通用型电路设计的需求。