• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： IPD160N04LG-HXY
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• 商品编号： G50964607
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和高频响应能力。其主要参数包括：漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至18mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及直流电机驱动等场景，支持高密度和高效能的电路设计需求，是一款性能稳定、适用范围广泛的功率器件。 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和高频响应能力。其主要参数包括：漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至18mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及直流电机驱动等场景，支持高密度和高效能的电路设计需求，是一款性能稳定、适用范围广泛的功率器件。