DMN2024U-7-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMN2024U-7-HXY 价格参考¥ 。 HXY DMN2024U-7-HXY 封装/规格: SOT-23, 本款N沟道场效应管(MOSFET)的主要参数包括:最大漏极电流ID为7A,漏源击穿电压VDSS为20V,导通电阻RDON为15mΩ。该器件具有较快的开关速度和良好的热稳定性,适合用于中低功率电路中的开关控制。其较低的导通电阻有助于提升整体效率并降低运行温度。适用于各类消费类电子产品、便携式设备、电源管理系统以及小型开关电路的设计需求,具备较强的通用性和可靠性。。你可以下载 DMN2024U-7-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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