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MOSFETs HXY DMG1016UDWQ-7-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： DMG1016UDWQ-7-HXY
点击复制 - 商品编号： G50964603
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ。该器件适用于需要高效开关与信号控制的电路设计，可广泛用于电源管理、逻辑切换及小型电子设备中的功率调节单元。其低导通电阻特性有助于降低能耗并提升系统效率，是一款适用于多样化电子产品的基础半导体元件。
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DMG1016UDWQ-7-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMG1016UDWQ-7-HXY 价格参考￥ 。 HXY DMG1016UDWQ-7-HXY 封装/规格： SOT-363, 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），主要参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ。该器件适用于需要高效开关与信号控制的电路设计，可广泛用于电源管理、逻辑切换及小型电子设备中的功率调节单元。其低导通电阻特性有助于降低能耗并提升系统效率，是一款适用于多样化电子产品的基础半导体元件。。你可以下载 DMG1016UDWQ-7-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMG1016UDWQ-7-HXY
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