上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY DMG1016UDW-7-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： DMG1016UDW-7-HXY
点击复制 - 商品编号： G50964593
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 本款N+P沟道场效应管（MOSFET）采用复合沟道设计，适用于多种中低功率电子应用。其参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ，具备良好的开关特性和电流控制能力。该器件适合用于便携式设备、电池管理系统、信号切换电路及各类消费类电子产品中的电源管理与功率调节单元，支持高效能与小型化设计需求。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
DMG1016UDW-7-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMG1016UDW-7-HXY 价格参考￥ 。 HXY DMG1016UDW-7-HXY 封装/规格： SOT-363, 本款N+P沟道场效应管（MOSFET）采用复合沟道设计，适用于多种中低功率电子应用。其参数包括：漏极电流ID为0.8A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为320mΩ，具备良好的开关特性和电流控制能力。该器件适合用于便携式设备、电池管理系统、信号切换电路及各类消费类电子产品中的电源管理与功率调节单元，支持高效能与小型化设计需求。。你可以下载 DMG1016UDW-7-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMG1016UDW-7-HXY
工商网监