上传BOM 
购物车
MOSFETs HXY FDA20N50F-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： FDA20N50F-HXY
点击复制 - 商品编号： G50964571
点击复制 - 封装规格： TO-3P
点击复制 - 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为200mΩ。该器件适用于需要高效开关性能的高功率场景，其低导通电阻有助于降低工作损耗，提高系统效率。凭借较高的电流和电压耐受能力，该MOSFET可广泛用于电源转换、电机控制及高频率电路设计等领域，为电路提供稳定可靠的导通与截止控制。
下载EDA模型- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
FDA20N50F-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDA20N50F-HXY 价格参考￥ 。 HXY FDA20N50F-HXY 封装/规格： TO-3P, 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为200mΩ。该器件适用于需要高效开关性能的高功率场景，其低导通电阻有助于降低工作损耗，提高系统效率。凭借较高的电流和电压耐受能力，该MOSFET可广泛用于电源转换、电机控制及高频率电路设计等领域，为电路提供稳定可靠的导通与截止控制。。你可以下载 FDA20N50F-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FDA20N50F-HXY
工商网监