alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY IRFR3710ZTRLPBF-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: IRFR3710ZTRLPBF-HXY
    点击复制
  • 商品编号: G50964569
    点击复制
  • 封装规格: TO252-2L
    点击复制
  • 商品描述: 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有以下主要参数:漏极电流ID为60A,漏源击穿电压VDSS为100V,导通电阻RDON为13.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电路设计,能够在较高频率下稳定工作,适合用于电源转换、电机驱动以及各类电子设备中的开关应用。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,提高系统整体效率。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRFR3710ZTRLPBF-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY IRFR3710ZTRLPBF-HXY
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

IRFR3710ZTRLPBF-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRFR3710ZTRLPBF-HXY 价格参考¥ 。 HXY IRFR3710ZTRLPBF-HXY 封装/规格: TO252-2L, 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有以下主要参数:漏极电流ID为60A,漏源击穿电压VDSS为100V,导通电阻RDON为13.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电路设计,能够在较高频率下稳定工作,适合用于电源转换、电机驱动以及各类电子设备中的开关应用。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,提高系统整体效率。。你可以下载 IRFR3710ZTRLPBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRFR3710ZTRLPBF-HXY

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照