IRFR3710ZTRLPBF-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRFR3710ZTRLPBF-HXY 价格参考¥ 。 HXY IRFR3710ZTRLPBF-HXY 封装/规格: TO252-2L, 本款N沟道场效应管(MOSFET)具有以下主要参数:漏极电流ID为60A,漏源击穿电压VDSS为100V,导通电阻RDON为13.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电路设计,能够在较高频率下稳定工作,适合用于电源转换、电机驱动以及各类电子设备中的开关应用。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,提高系统整体效率。。你可以下载 IRFR3710ZTRLPBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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